整流二极管参数

整流二极管的常用参数

（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。（5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

整流二极管一般用什么型号的好

选择整流二极管主要是要看需要的耐压和电流各是多少，除了封装外形之外，最重要的是整流二极管的耐压和电流。
如果在1A以内，可以选用1N400X系列，包括1N4000、1N4001、1N4002~1N4007，耐压分别为30V、50V、100V、200V、400V、600V、800V、1000V的整流二极管。
如果电流大于1A但不超过3A，可以选用1N580X系列，包括1N5400、1N5401、1N5402~1N5408，耐压分别为50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V。
如果电流超过3A，可以选用大电流的肖特基二极管（最大电流有超过100A的。肖特基二极管具体型号太多，不一一列举了）。

整流二极管的参数是什么？

从常用整流二极管A7看参数：封装形式：SOD-123FL正向平均电流：1A反向重复峰值电压：1000V正向（不重复）浪涌电流：25A正向峰值电压：1.1V反向漏电流：5uA、50uA结温：- 55°C to + 150°C储存温度：- 55°C to + 150°C可见，整流二极管参数有：正向平均电流、反向重复峰值电压、正向浪涌电流、正向峰值电压、反向漏电流、封装形式、结温等等。A7二极管封装A7二极管

选用整流二极管时要满足哪些参数

1、最大整流电流：
是指MDD二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，MDD二极管使用中不要超过MDD二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、最高反向工作电压：
加在MDD二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流：
反向电流是指MDD二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过MDD二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗MDD二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅MDD二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅MDD二极管比锗MDD二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.反向恢复时间：
整流二极管反向恢复时间是指：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。正常快/特快/MDD超快恢复二极管会体现出恢复时间参数，单位为纳稍(ns)，恢复时间越快越好效率相对越高。

1n4007二极管的参数

1N4007直插整流二极管基本参数：封装形式：DO-41。反向重复峰值电压：1000V。正向平均电流：1.0A。正向不重复浪涌电流：30A。正向峰值电压：1V。其次还有反向漏电流（Ta=25°C）：5uA。热阻（典型，结和环境之间）：55°C/W。热阻（典型，结和引线之间）：25°C/W。结温：-55°Cto125°C。储存温度：-55°Cto150°C。1N4007直插整流二极管主要特性：正向浪涌承受能力强。低反向漏电流：250℃/10秒，0.375“（9.5mm）引线长度。引线可承受5磅（2.3kg）拉力。高温焊接保证极性：色环端为负极。端子：镀锡轴向引线安装位置：任意。

in4007二极管参数

1N4007直插整流二极管基本参数：封装形式：DO-41。反向重复峰值电压：1000V。正向平均电流：1.0A。正向不重复浪涌电流：30A。正向峰值电压：1V。其次还有反向漏电流（Ta=25°C）：5uA。热阻（典型，结和环境之间）：55°C/W。热阻（典型，结和引线之间）：25°C/W。结温：-55°Cto125°C。储存温度：-55°Cto150°C。1N4007直插整流二极管主要特性：正向浪涌承受能力强。低反向漏电流：250℃/10秒，0.375“（9.5mm）引线长度。引线可承受5磅（2.3kg）拉力。高温焊接保证极性：色环端为负极。端子：镀锡轴向引线安装位置：任意。

选用二极管时主要考虑哪些参数

不同类型的二极管有不同的特性参数。选用二极管必须了解以下几个主要参数：1、最大整流电流IF：二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。2、最高反向工作电压Udrm：加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。3、反向电流Idrm：反向电流是指二极管在常温（25℃）和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。4、动态电阻Rd：二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。5、最高工作频率Fm：Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。6、电压温度系数αuz：温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好。扩展资料二极管发光分类：1、按发光管发光颜色分按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管适合做指示灯用。2、按发光管出光面特征分按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1；把 ；φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类：高指向性：一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。标准型：通常作指示灯用，其半值角为20°~45°。散射型：这是视角较大的指示灯，半值角为45°~90°或更大，散射剂的量较大。参考资料来源：百度百科—二极管

ASEMI-10A10整流二极管的结电容和热阻是多少？

型号：10A10最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V最大直流阻断电压（VDC）：1000V最大平均正向整流输出电流（IF）：10.0A峰值正向浪涌电流（IFSM）：600A工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃最大瞬时正向压降（VF）：1.0V最大直流反向电流（IR）：10uA典型结电容（Cj）：150pF典型热阻（RθJA）：10℃/W 10A10特征：低成本扩散结低正向压降低反向漏电流高电流能力 10A10机械数据：外壳：JEDEC R-6模压塑料极性：色带表示阴极重量：0.074盎司，2.1克

二极管1N4001和1N4007有什么区别?

二极管1N4001和1N4007的区别如下:1、1N4001高反向击穿电压50V，1N4007高反向击穿电压1000V。2、在满足最大反向电压的基础上可以用4007代替4001-4006扩展资料1、二极管1N4001是一种整流二极管，操作和存储温度为-65~175℃。IN4007可以替换，整流二极管1N4001和IN4007的区别仅仅是反向耐压不一样，其余参数都相同，如下所示：最大周期性方向峰值电压：50V最大有效值电压：35V最大直流闭锁电压：50V最大正向整流电流：1.0A典型结电容：30pF操作和存储温度范围：-65~175℃其余二极管参数：1N4002的反向峰值电压为100V；1N4003的反向峰值电压为200V；1N4004的反向峰值电压为400V；1N4005的反向峰值电压为600V；1N4006的反向峰值电压为800V；参考资料：二极管1N4001和1N4007---百度百科二极管---百度百科

1N4007二极管参数及耐压~谢了

1N4007为普通整流二极管,封装DO-41,具体参数如下：最大峰值反向电压:1000V最大直流阻断电压:1000V最大平均正向整流电流:1.0A最大瞬间电流:1.0A正向压降:1.0V最大直流反向电流Ta=25℃:5.0uA额定直流阻断电压Ta=100℃:50uA工作温度存储温度:-65+150℃重量:0.34克极性:色带表示负极扩展资料：1N4007二极管为美国公司生产的一种硅整流二极管，型号中的“1”，表示其是具有一个PN结的半导体器件（即二极管）；字母“N”为美国EIA（电子工业协会）注册登记标志，带有该字母的二极管，表明其已在美国EIA注册登记；“N”后面的数字为该器件在美国EIA的登记号。由于美国对半导体器件的命名方法制定的较早，之后又未做过修改，故美国公司生产的这些二极管。