张国义

张国义的个人简介

张国义，理学博士，北京大学物理学院教授，博士生导师，北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任，中国物理学会发光分会理事；中国电子学会办半导体与集成技术分会委员会委员；《半导体学报》，《发光学报》，《液晶和显示》编委

基本内容

长期从事半导体物理与器件物理，半导体光电子学，MOCVD生长技术的研究。自1993年至今，一直从事III-V氮化物宽禁带半导体材料的制备、器件的研制和物理性能的研究。申请国家发明专利20多项，发表论文100多篇。作为会议主席，在1998年和2001年两次在中国主持召开了国际III-V氮化物半导体专题研讨会，多次作为（氮化物半导体相关的）重大国际会议委员会委员，参加国际学术交流。作为第一发明人，曾获得国家发明四等奖，国家教委科技进步二等奖等奖励。先后在美国，日本，澳大利亚，比利时开展合作研究。“九五”期间，作为国家“863”计划信息光电子主题专家组成员，“十五”期间，作为国家半导体照明工程专家组成员，中国LED行业协会顾问专家，国家半导体照明工程研发及产业联盟理事，努力为我国的LED照明光源的革命做出贡献。